[发明专利]Nand flash存储器的数字验证方法及系统

说明书

本发明公开了一种Nand flash存储器的数字验证方法，其包括如下步骤：a.检测Nand flash存储器总线上的数据信息，计算并记录所述数据的长度和位置；b.随机生成不同的数据错误位置，对错误位置进行记录并排序；c.根据记录的错误位置对Nand flash存储器内的数据进行造错；d.对造错后的数据的位置进行标志。同时，本发明还公开了一种Nand flash存储器的数字验证系统。通过本发明的方案，可以在不影响原有验证环境和测试用例的前提下，真实反映实际flash存储器工作时出现的数据错误，不仅有效提高验证的可信程度，而且提升了验证的可移植性和灵活性。

技术领域

本发明涉及数字验证领域，更具体地涉及一种Nand flash存储器的数字验证系统及方法。

背景技术

随着技术发展与市场需求的变化，flash存储器尤其是nand flash存储器有了更多的应用形态和使用需求。由于实际操作时nand flash存储器即使在操作时序和电路稳定性都没有问题的正常读写中依然不可避免地会出现几个bit位的错误，所以flash存储器控制器中往往会有相关的错误检测和纠正的机制(通常称之为Error Checking andCorrection，简称ecc)，以海明码或者bch算法来保证数据的正确性。同时由于soc芯片存储往往还有RAM和ROM的存在，根据芯片的功能它们和cpu对flash存储器的数据也会进行各种操作与交互，所以对于flash存储器输出错误数据的验证必不可少。

目前业内对于数据造错常见的操作是直接对flash存储器的数据总线某几位进行强制取反(也称之为force操作)，使得读flash存储器的数据出现错误。这种做法虽然直观简单，但是灵活性极低，不能满足实际验证工作的复杂需求，需要测试用例与之配合，在项目移植时需要重新检查及编写测试用例，可移植性极差。更为重要的是由于是在数据总线上大量使用force操作，进而不能保证结果仅仅是验证工程师预期中的数据造错而没有对其它的部分造成影响，使得验证结果的可靠性大幅下降，验证风险大幅升高。

因此，有必要提供一种改进的Nand flash存储器的数字验证系统及方法来克服上述缺陷。

发明内容

本发明的目的是提供一种Nand flash存储器的数字验证方法及系统，通过本发明的方案，可以在不影响原有验证环境和测试用例的前提下，真实反映实际flash存储器工作时出现的数据错误，不仅有效提高验证的可信程度，而且提升了验证的可移植性和灵活性。

为实现上述目的，本发明提供了一种Nand flash存储器的数字验证方法，其包括如下步骤：a.检测Nand flash存储器总线上的数据信息，计算并记录所述数据的长度和位置；b.随机生成不同的数据错误位置，对错误位置进行记录并排序；c.根据记录的错误位置对Nand flash存储器内的数据进行造错；d.对造错后的数据的位置进行标志。

较佳地，在所述步骤a之前还包括步骤：预设复现造错模式与固定长度模式。

较佳地，所述复现造错模式为，通过比对测试用例根目录下读取的原始数据文件和出错后的数据而得出数据造错的位置；所述固定长度模式为，输入一固定长度作为所述数据信息的长度。

较佳地，当检测到总线上命令为写命令时，记录数据的长度并累加，直到接收到读命令，且累加完成的数据长度，为写flash存储器中的总数据长度。

较佳地，给定的纠错算法的最大纠错能力确定造错数据的个数。

较佳地，所述错误位置包括所述步骤b中随机生成的错误位置与测试案例中的固定错误位置。

较佳地，在所述步骤d中，产生第一标志信号与第二标志信号，所述第一标志信号在对应错误数据位置将电平变为高电平，所述错误数据由二进制编码构成，而所述第二标志信号将所述二进制编码的错误位置的电平变为高电平。