[发明专利]一种氯霉素双重分子印迹膜电化学传感器的制备方法在审

专利信息
申请号: 202111381329.3 申请日: 2021-11-21
公开(公告)号: CN114062451A 公开(公告)日: 2022-02-18
发明(设计)人: 高庆;陈凯;陈秀清;张培培;姜晔;马金龙 申请(专利权)人: 扬州工业职业技术学院
主分类号: G01N27/26 分类号: G01N27/26;G01N27/30
代理公司: 北京远大卓悦知识产权代理有限公司 11369 代理人: 靳浩
地址: 225000 江苏省扬州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种氯霉素双重分子印迹膜电化学传感器的制备方法,本发明以氯霉素为模板分子、N‑(4‑戊烯酰)异亮氨酰‑壳寡糖为功能单体低聚物,在交联剂和引发剂的作用下首先在玻碳电极表面热聚合形成氯霉素分子印迹膜,然后在含氯霉素的吡咯溶液中进行电化学聚合,形成复合的双重分子印迹膜。本发明制得的传感器用于氯霉素浓度测定时,特异性、灵敏度和稳定性俱佳,检测时的电活性探针可以为铁氰化钾、二茂铁甲醇等;所制备的传感器为双重分子印迹性能,对比单层的分子印迹膜,显著提升了复合分子印迹膜对氯霉素的识别性能,检测限达到nM级。
搜索关键词: 一种 氯霉素 双重 分子 印迹 电化学传感器 制备 方法
【主权项】:
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