[发明专利]一种氯霉素双重分子印迹膜电化学传感器的制备方法

权利要求书

1.一种氯霉素双重分子印迹膜电化学传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)将氯霉素和N-(4-戊烯酰)异亮氨酰-壳寡糖加入由体积比为1/2～2/1的DMF和H₂O组成的混合溶剂中，室温超声溶解，然后再加入交联剂和引发剂，静置5～24h后，用氮气除去溶解氧，取得混合液；

2)将混合液滴到洁净的玻碳电极表面，然后再覆盖干净的盖玻片，置于55～75℃烘箱中加热5～20h，除去盖玻片后在玻碳电极表面形成一层透明的初级聚合物膜；

3)在2mL含有5～30mM吡咯和饱和量的氯霉素的0.1～0.5M电解质溶液中进行的，采用三电极体系，以初级聚合物膜电极为工作电极，铂丝电极为对照电极，饱和甘汞电极为参比电极，电位范围为0～1.2V，扫描速率为5～20mVs^-1，循环伏安法扫描4～10圈，得到二次聚合的氯霉素分子印迹膜修饰的玻碳电极；

4)将二次聚合的氯霉素分子印迹膜修饰的玻碳电极用含醋酸质量百分数为10～70％的甲醇溶液作为洗脱液洗脱分子印迹膜中的印迹分子氯霉素，即得复合的氯霉素双重分子印迹膜电化学传感器。

2.如权利要求1所述的氯霉素双重分子印迹膜电化学传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中氯霉素、N-(4-戊烯酰)异亮氨酰-壳寡糖、交联剂和引发剂的质量比为3～5︰5～10︰20～50︰1～5。

3.如权利要求1所述的氯霉素双重分子印迹膜电化学传感器的制备方法，其特征在于，所述交联剂为二甲基丙烯酸乙二醇酯，所述引发剂为偶氮二异丁腈。

4.如权利要求1所述的氯霉素双重分子印迹膜电化学传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤3)是在醋酸缓冲液或磷酸缓冲液中进行的，溶液的pH值在5.0～7.5。