[发明专利]功率半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202111371762.9 | 申请日： | 2021-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN113964203A | 公开（公告）日： | 2022-01-21 |
| 发明（设计）人： | 高秀秀;柯攀;戴小平 | 申请（专利权）人： | 湖南国芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L21/336 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 廖元宝 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种功率半导体器件，包括N型衬底，N型衬底上设有N型外延层下部分，N型外延层下部分上部形成P基区下部分，N型外延层下部分上面设有N型外延层上部分，N型外延层上部分上部设有两个P基区上部分，其中一个P基区上部分中设有N+源区和P+源区，N+源区两侧的P基区上部分形成沟道，另一个P基区上部分设有绝缘介质层，绝缘介质层上设有多晶硅，多晶硅上设有栅极金属，N+源区和P+源区上设有源极金属，N型衬底的背面设有漏极金属；其中非有源区或栅极焊盘靠近有源区的边缘处不存在源极金属。本发明具有减小漏源电容，规避有源区与非有源区边界的位移电流，提高器件dV |
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| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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