[发明专利]CMOS器件的制造方法在审
| 申请号： | 202111370237.5 | 申请日： | 2021-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN114068412A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 张广冰;许忠义 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种CMOS器件的制造方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成牺牲氧化层；对所述牺牲氧化层和所述衬底执行氟离子注入工艺，所述氟离子注入和扩散至部分厚度的所述衬底中；去除牺牲氧化层；以及采用热氧化工艺在衬底上形成栅氧化层，其中，所述衬底表面的氟离子参与所述热氧化工艺以在所述栅氧化层中形成硅氟键。本申请通过对牺牲氧化层和衬底注入氟离子，氟离子注入和扩散到衬底中，从而在衬底上形成栅氧化层时，氟离子可以参与热氧化工艺，从而在衬底与栅氧化层的交界处以及栅氧化层中形成大量的稳定的硅氟键，硅氟键的键能较大，可以减小衬底与栅氧化层界面的晶格失配，减少栅氧化层的界面态密度，从而提高栅氧化层的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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