[发明专利]CMOS器件的制造方法在审
| 申请号： | 202111370237.5 | 申请日： | 2021-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN114068412A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 张广冰;许忠义 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 器件 制造 方法 | ||
1.一种CMOS器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供一衬底；
在所述衬底上形成牺牲氧化层；
对所述牺牲氧化层和所述衬底执行氟离子注入工艺，其中，所述氟离子注入和扩散至部分厚度的所述衬底中；
去除所述牺牲氧化层；以及，
采用热氧化工艺在所述衬底上形成栅氧化层，其中，所述衬底表面的氟离子参与所述热氧化工艺以在所述栅氧化层中形成硅氟键。
2.根据权利要求1所述的CMOS器件的制造方法，其特征在于，采用热氧化工艺形成所述栅氧化层的过程中，参与所述热氧化工艺的气体为O2，气体流量为10SLM～20SLM，工艺温度为700℃～950℃。
3.根据权利要求1所述的CMOS器件的制造方法，其特征在于，采用热氧化工艺形成所述栅氧化层的过程中，参与所述热氧化工艺的气体为H2和O2，H2的流量为1SLM～10SLM，O2的流量为1SLM～20SLM，工艺温度为700℃～950℃。
4.根据权利要求1所述的CMOS器件的制造方法，其特征在于，所述栅氧化层的厚度为
5.根据权利要求1所述的CMOS器件的制造方法，其特征在于，在对所述牺牲氧化层执行氟离子注入工艺的过程中，能量为6KeV～20KeV，注入离子的剂量为1E10atoms/cm2～1E15atoms/cm2。
6.根据权利要求1所述的CMOS器件的制造方法，其特征在于，采用热氧化工艺形成所述牺牲氧化层，参与所述热氧化工艺的气体为O2，或H2和O2，工艺温度为700℃～950℃。
7.根据权利要求1所述的CMOS器件的制造方法，其特征在于，所述牺牲氧化层的厚度为
8.根据权利要求1所述的CMOS器件的制造方法，其特征在于，采用湿法清洗工艺去除所述牺牲氧化层，清洗时间为5min～15min。
9.根据权利要求8所述的CMOS器件的制造方法，其特征在于，采用湿法清洗工艺去除所述牺牲氧化层的步骤包括：
采用HF溶液去除所述牺牲氧化层；
采用常温的SC1清洗液清洗所述衬底表面；
采用加热的SC1清洗液清洗所述衬底表面；以及，
采用常温的SC2清洗液清洗所述衬底表面。
10.根据权利要求9所述的CMOS器件的制造方法，其特征在于，加热的所述SC1清洗液的温度为50℃～80℃。
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