[发明专利]耗尽电压获取方法在审
| 申请号： | 202111367378.1 | 申请日： | 2021-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN114300370A | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 柳月波;赖灿雄;杨少华;路国光 | 申请（专利权）人： | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L29/778 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 511300 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种耗尽电压获取方法，耗尽电压获取方法用于获取半导体器件中二维电子气沟道内电子耗尽时的耗尽电压，耗尽电压获取方法包括：获取半导体器件的电容‑反向偏置电压特性曲线；获取电容‑反向偏置电压特性曲线中的电容对反向偏置电压的二阶微分，并得到半导体器件的二阶微分特性曲线；根据半导体器件的二阶微分特性曲线，获取半导体器件中二维电子气沟道内电子耗尽时的耗尽电压，此方法简单直观，可以快速获取半导体器件中二维电子气沟道内电子耗尽时的耗尽电压，方便研发人员使用此方法进行快速试验，加快研发进展，提升企业研发竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | 耗尽 电压 获取 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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