[发明专利]耗尽电压获取方法

权利要求书

1.一种耗尽电压获取方法，其特征在于，所述耗尽电压获取方法用于获取半导体器件中二维电子气沟道内电子耗尽时的耗尽电压，所述耗尽电压获取方法包括：

获取所述半导体器件的电容-反向偏置电压特性曲线；

获取所述电容-反向偏置电压特性曲线中的电容对反向偏置电压的二阶微分，并得到所述半导体器件的二阶微分特性曲线；

根据所述半导体器件的二阶微分特性曲线，获取所述半导体器件中二维电子气沟道内电子耗尽时的耗尽电压。

2.根据权利要求1所述的耗尽电压获取方法，其特征在于，所述根据所述半导体器件的二阶微分特性曲线，获取所述半导体器件中二维电子气沟道内电子耗尽时的耗尽电压包括：

建立二维坐标系，所述二维坐标系的横坐标为反向偏置电压，所述二阶微分特性曲线具有波峰，且所述二阶微分特性曲线与所述二维坐标系的横坐标具有多个交点，所述交点位于所述波峰相对的两侧；

所述波峰邻近所述二维坐标系原点一侧的所述交点的横坐标值即为获取所述半导体器件中二维电子气沟道内电子耗尽时的耗尽电压。

3.根据权利要求1或2所述的耗尽电压获取方法，其特征在于，所述半导体器件包括欧姆接触电极和肖特基接触电极；所述获取半导体器件的电容-反向偏置电压特性曲线包括：

将所述半导体器件的欧姆接触电极接地；

于所述半导体器件的肖特基接触电极上施加电压；

采用电容-电压测试仪对所述半导体器件进行电容-电压特性测试，以得到所述电容-反向偏置电压特性曲线。

4.根据权利要求3所述的耗尽电压获取方法，其特征在于，所述半导体器件还包括：

第一AlGaN/AlN/GaN异质结构，所述第一AlGaN/AlN/GaN异质结构中的所述AlN层与所述GaN层的界面处存在第一二维电子气沟道；

第二AlGaN/AlN/GaN异质结构，位于所述第一AlGaN/AlN/GaN异质结构的表面，所述第二AlGaN/AlN/GaN异质结构中的所述AlN层与所述GaN层的界面处存在第二二维电子气沟道；

第三AlGaN/AlN/GaN异质结构，位于所述第二AlGaN/AlN/GaN异质结构远离所述第一AlGaN/AlN/GaN异质结构的表面，所述第三AlGaN/AlN/GaN异质结构中的所述AlN层与所述GaN层的界面处存在第三二维电子气沟道；

所述第一二维电子气沟道中的电子浓度、所述第二二维电子气沟道中的电子浓度及所述第三二维电子气沟道中的电子浓度之间的差值小于预设值；

所述肖特基接触电极位于所述第三AlGaN/AlN/GaN异质结构远离所述第二AlGaN/AlN/GaN异质结构的表面；所述欧姆接触电极位于所述第三AlGaN/AlN/GaN异质结构远离所述第二AlGaN/AlN/GaN异质结构的表面，且位于所述肖特基接触电极的外围。

5.根据权利要求4所述的耗尽电压获取方法，其特征在于，所述第一AlGaN/AlN/GaN异质结构中AlGaN层的厚度与所述第三AlGaN/AlN/GaN异质结构中AlGaN层的厚度相同，且均小于所述第二AlGaN/AlN/GaN异质结构中AlGaN层的厚度。

6.根据权利要求5所述的耗尽电压获取方法，其特征在于，所述第一AlGaN/AlN/GaN异质结构中GaN层的厚度、所述第二AlGaN/AlN/GaN异质结构中GaN层的厚度和所述第三AlGaN/AlN/GaN异质结构中GaN层的厚度相同；所述第一AlGaN/AlN/GaN异质结构中AlN层的厚度、所述第二AlGaN/AlN/GaN异质结构中AlN层的厚度和所述第三AlGaN/AlN/GaN异质结构中AlN层的厚度相同。