[发明专利]碲纳米线垂直阵列的生长方法在审
| 申请号： | 202111363651.3 | 申请日： | 2021-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN114032510A | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 王丽丽;李林林;沈国震 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/06;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张博 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碲纳米线垂直阵列的生长方法，包括：将碲粉放置于石英管中作为前驱体源；将所述石英管放置在管式炉中，所述碲粉位于所述管式炉的升温区；清洗衬底并干燥，将清洗干燥后的衬底固定于所述石英管中作为沉积材料，所述衬底位于所述管式炉的降温区；将所述管式炉内的真空度抽至10‑20Pa，通入惰性气体，清除所述管式炉内残留的氧气；打开等离子体源激励所述惰性气体发生电离，形成等离子体，所述等离子体激发所述碲粉转化为小颗粒碲粉；加热所述管式炉，位于所述管式炉的升温区的所述小颗粒碲粉受热气化转移至所述管式炉的降温区并在所述衬底处进行沉积，生长出所述碲纳米线垂直阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 垂直 阵列 生长 方法 | ||
【主权项】：
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