[发明专利]碲纳米线垂直阵列的生长方法

权利要求书

1.一种碲纳米线垂直阵列的生长方法，包括：

将碲粉放置于石英管中作为前驱体源；

将所述石英管放置在管式炉中，所述碲粉位于所述管式炉的升温区；

清洗衬底并干燥，将清洗干燥后的衬底固定于所述石英管中作为沉积材料，所述衬底位于所述管式炉的降温区；

将所述管式炉内的真空度抽至10-20Pa，通入惰性气体，清除所述管式炉内残留的氧气；

打开等离子体源激励所述惰性气体发生电离，形成等离子体，所述等离子体激发所述碲粉转化为小颗粒碲粉；以及

加热所述管式炉，位于所述管式炉的升温区的所述小颗粒碲粉受热气化转移至所述管式炉的降温区并在所述衬底处进行沉积，生长出所述碲纳米线垂直阵列。

2.根据权利要求1所述的生长方法，其中，所述衬底的一个表面的法线方向指向所述石英管的圆心，所述碲纳米线垂直阵列的生长方向朝向所述石英管的圆心。

3.根据权利要求1所述的生长方法，其中，清洗所述衬底包括：依次用丙酮清洗20min、无水乙醇清洗20min、去离子水超声清洗20min。

4.根据权利要求1所述的生长方法，其中，所述衬底的耐受温度大于300℃，

优选地，所述衬底材料包括：硅、二氧化硅、云母、聚乙酰亚胺、碳纤维。

5.根据权利要求1-4中的任一项所述的生长方法，其中，所述管式炉为等离子体增强化学气相沉积炉。

6.根据权利要求1-4中的任一项所述的生长方法，其中，所述惰性气体包括：氮气、氩气、氦气、和氖气中的一种或多种，

优选地，所述惰性气体气流量为0-50sccm。

7.根据权利要求1-4中的任一项所述的生长方法，其中，调节所述等离子体源1的功率为50W，反射功率小于20W。

8.根据权利要求1所述的生长方法，其中，所述碲纳米线垂直阵列的生长温度为500-650℃。

9.根据权利要求1-4中的任一项所述的生长方法，其中，所述管式炉的升温时间为30-40min，保温时间为30-60min。

10.根据权利要求1-4中的任一项所述的生长方法，还包括：

所述碲纳米线垂直阵列生长完成后，将所述管式炉自然冷却至60℃以下；

将生长完成的所述碲纳米线垂直阵列置于干燥环境保存。