[发明专利]一种耐超高温气密封装方法在审
| 申请号： | 202111361151.6 | 申请日： | 2021-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN114121693A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 王俊强;张海坤;李孟委 | 申请（专利权）人： | 中北大学南通智能光机电研究院;中北大学 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/603;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 太原荣信德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14119 | 代理人： | 连慧敏;杨凯 |
| 地址： | 226000 江苏省常州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子封装热压键合技术领域，具体是一种耐超高温气密封装方法，包括下列步骤：键合采用金属铂作为键合连接材料，且键合材料不混合其他金属材料；先将衬底底片清洗，然后用气相沉积法制备介质层；经过光刻、溅射、剥离制备底电极；利用沉积法在键合凸点铂金属表面制作纳米铂柱阵列；再将基板浸入己烷硫醇溶液中自主装一层防止铂金属表面氧化的阻隔膜，最后采用激光划片的方式将单个微结构分开；将两个带有密封环，键合凸点的结构放入倒装焊机，经焊机自动对准、加热，加压开始键合，最终使两个结构结合到一起。本发明通过Pt‑Pt直接键合形成无氧真空腔，可以在1500℃左右为石墨烯纳米薄膜材料提供无氧和高温防护。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超高温 气密 封装 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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