[发明专利]三维存储器

摘要

本发明提供一种三维存储器的制造方法及三维存储器，在本发明所提供的三维存储器的制造方法中，在台阶结构上沉积额外的伪栅极覆盖层之后，仅去除台阶侧壁的伪栅极覆盖层，不去除半导体层上残留的伪栅极覆盖层，而是直接在残留的伪栅极覆盖层上形成介质层并刻蚀填充形成金属插塞，精简了刻蚀工艺且节省了掩膜，提高了生产效率并降低了生产成本；同时，在刻蚀形成接触孔时，将原来穿过半导体层的接触孔的刻蚀改为停留在伪栅极覆盖层，减小了对应的刻蚀窗口，增强了其设计灵活性。