[发明专利]一种多态磁性存储器件及制备方法在审
| 申请号： | 202111355394.9 | 申请日： | 2021-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN114068805A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 陆亚林;吴清梅;傅正平;崔璋璋;王建林;黄浩亮;黄秋萍 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/02;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张珊珊 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多态磁性存储器件及制备方法，该多态磁性存储器件是基于范德瓦尔斯异质结的自旋阀器件，主要由第一磁性层、非磁性层、第二磁性层以及绝缘层叠加构成范德瓦尔斯异质结。该范德瓦尔斯异质结中，在第一磁性层与非磁性层界面处和第二磁性层与非磁性层界面处，引入相反极化方向的自旋积累能够打破原先简并的电子输运状态，从而在电学探测时完整地呈现出四个电阻态。由于四个磁性状态对应四个不同的电阻态，所以可以进一步实现对两个磁性层的四种磁性状态的电学探测，并且通过外电场能够调控四个态的大小和窗口，最终实现在一个存储单元中的多态存储。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 存储 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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