[发明专利]一种基于氧化锡作为电子注入层的磷化铟量子点电致发光器件及其制备在审

专利信息
申请号: 202111340780.0 申请日: 2021-11-12
公开(公告)号: CN114242920A 公开(公告)日: 2022-03-25
发明(设计)人: 许伟;彭俊彪;宁洪龙;姚日晖 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H01L51/54 分类号: H01L51/54;H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 陈智英
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明属于电致发光器件的技术领域,公开了一种基于氧化锡作为电子注入层的磷化铟量子点电致发光器件及其制备。所述磷化铟量子点电致发光器件包括依次层叠的ITO基板、电子注入层、电子传输层、磷化铟量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层及金属阳极;所述电子注入层为二氧化锡。本发明采用二氧化锡材料作为电致发光器件的电子注入层,优化电子注入,利用二氧化锡材料的高的电子迁移率,实现基于二氧化锡材料作为电子注入层的磷化铟量子点电致发光器件的制备,有利于降低量子点器件的启亮电压,提升其电致发光效率与工作寿命,推动量子点材料在下一代显示和照明领域的应用。
搜索关键词: 一种 基于 氧化 作为 电子 注入 磷化 量子 电致发光 器件 及其 制备
【主权项】:
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