[发明专利]一种基于氧化锡作为电子注入层的磷化铟量子点电致发光器件及其制备

权利要求书

1.一种基于氧化锡作为电子注入层的磷化铟量子点电致发光器件，其特征在于：包括依次层叠的ITO基板、电子注入层、电子传输层、磷化铟量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层及金属阳极；所述电子注入层为二氧化锡。

2.根据权利要求1所述基于氧化锡作为电子注入层的磷化铟量子点电致发光器件，其特征在于：所述二氧化锡为二氧化锡纳米粒子，粒径为3～5nm；

所述电子传输层为氧化锌、氧化锌镁、氧化钛中的一种以上，电子传输层的厚度为40-70nm；

所述磷化铟量子点发光层的材料包括核壳结构的InP/ZnS量子点、InP/ZnSe/ZnS量子点；所述量子点为红光量子点、绿光量子点、蓝光量子点；

所述磷化铟量子点发光层的厚度为20-35nm。

3.根据权利要求2所述基于氧化锡作为电子注入层的磷化铟量子点电致发光器件，其特征在于：所述电子传输层为氧化锌镁。

4.根据权利要求1所述基于氧化锡作为电子注入层的磷化铟量子点电致发光器件，其特征在于：所述空穴传输层为4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、聚(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-共(4,4'-(N-(4-仲-丁基苯基)二苯胺))、聚(N,N'-双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)中一种以上；

所述空穴传输层的厚度为30-60nm；

所述空穴注入层的材料为聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚对苯乙炔、或氧化钼中一种以上；

所述空穴注入层的厚度为6-12nm。

5.根据权利要求4所述基于氧化锡作为电子注入层的磷化铟量子点电致发光器件，其特征在于：所述空穴传输层为4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺；所述空穴注入层为氧化钼。

6.根据权利要求1所述基于氧化锡作为电子注入层的磷化铟量子点电致发光器件，其特征在于：所述金属阳极层包括金属铝、金、银中一种以上。

7.根据权利要求1～6任一项所述基于氧化锡作为电子注入层的磷化铟量子点电致发光器件的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)将ITO基板进行氧气等离子处理，然后在ITO基板上通过溶液加工工艺依次制备二氧化锡电子注入层、电子传输层、磷化铟量子点发光层；

2)在发光层上通过溶液加工工艺或真空蒸镀工艺依次制备空穴传输层、空穴注入层；

3)在空穴注入层上制备金属阳极。

8.根据权利要求7所述基于氧化锡作为电子注入层的磷化铟量子点电致发光器件的制备方法，其特征在于：通过溶液加工工艺依次制备二氧化锡电子注入层，电子传输层时，采用的溶剂为乙醇、异丙醇中一种以上；

通过溶液加工工艺制备磷化铟量子点发光层时，溶剂为正辛烷、甲苯、二甲苯、氯苯中一种或其与间苯二甲醚，二甲基茴香醚中一种以上共混的复合溶剂。