[发明专利]一种基于氧化锡作为电子注入层的磷化铟量子点电致发光器件及其制备

说明书

本发明属于电致发光器件的技术领域，公开了一种基于氧化锡作为电子注入层的磷化铟量子点电致发光器件及其制备。所述磷化铟量子点电致发光器件包括依次层叠的ITO基板、电子注入层、电子传输层、磷化铟量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层及金属阳极；所述电子注入层为二氧化锡。本发明采用二氧化锡材料作为电致发光器件的电子注入层，优化电子注入，利用二氧化锡材料的高的电子迁移率，实现基于二氧化锡材料作为电子注入层的磷化铟量子点电致发光器件的制备，有利于降低量子点器件的启亮电压，提升其电致发光效率与工作寿命，推动量子点材料在下一代显示和照明领域的应用。

技术领域

本发明属于磷化铟量子点光电器件的技术领域，涉及基于二氧化锡作为电子注入层的磷化铟量子点电致发光器件，具体涉及一种磷化铟量子点电致发光器件及其制备方法。

背景技术

在光电显示领域中，量子点显示因其宽的光谱可调性、窄的半峰全宽(FWHM)、高的色纯度等优异的性能而倍受科学家们的关注，并被认为是下一代显示技术极为突出的候选者。量子点发光二极管(quantum dots light emitting diode,QLED)性能已经得到迅速发展，尤其是镉基QLED的红、绿、蓝三色发光性能已十分接近有机发光二级管(organic lightemitting diode,OLED)的水平。但是，镉元素对人体及环境具有严重的危害性。因此，科研工作者将关注点转移到更多环境友好型量子点材料，其中InP量子点以其较大的波尔半径、宽的光谱可调性等突出性能，成为最有望替代镉基量子点的环境友好型材料。

但是与镉基量子点发光二极管相比，InP量子点发光二极管在性能和稳定性方面依然有很大的差距。在对InP量子点的研究中，多是对InP量子点合成的研究，例如：核壳的结构、配体的选择等。对InP量子点发光二极管的器件结构调整和优化的研究较少。

本发明采用二氧化锡材料作为磷化铟量子点电致发光器件的电子注入层，优化器件电子注入，实现了基于二氧化锡材料作为电子注入层的磷化铟量子点电致发光器件的制备，有利于降低量子点器件的启亮电压，提升其电致发光效率与工作寿命，推动量子点材料在下一代显示和照明领域的应用。

发明内容

为了克服现有技术的缺点和不足，本发明的目的在于提供一种基于二氧化锡材料作为电子注入层的磷化铟量子点电致发光器件及其制备方法。本发明采用了二氧化锡材料作为磷化铟量子点电致发光器件的电子注入层，优化了器件电子注入，提高了磷化铟量子点发光二极管器件的效率。

本发明的目的通过以下技术方案实现：

一种基于氧化锡作为电子注入层的磷化铟量子点电致发光器件，包括依次层叠的ITO基板、电子注入层、电子传输层、磷化铟量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层及金属阳极；所述电子注入层为二氧化锡。

所述二氧化锡材料，包括含有不同粒径大小的二氧化锡纳米粒子(粒径约3～5nm)。所述二氧化锡材料采用旋涂工艺制备薄膜。电子注入层的厚度为30～50nm。

所述电子传输层，是指金属氧化物的无机纳米粒子材料(例如：氧化锌、氧化锌镁、氧化钛中一种以上)，具有电子注入和传输的功效；在通过溶液加工制备成膜时，所采用的的溶剂可以是乙醇、异丙醇等。所述电子传输层的材料优选为氧化锌镁。电子传输层的厚度为40-70nm。

所述磷化铟量子点发光层的材料包括不同核壳结构及不同粒径大小(例如：2nm、4nm、6nm)的量子点，所述量子点包括核壳结构的InP/ZnS、核壳结构的InP/ZnSe/ZnS等；量子点材料包括红光、绿光、蓝光等量子点，如：核壳结构的绿光InP/ZnS量子点。

所述磷化铟量子点发光层采用溶液加工法(如：旋涂工艺)制备薄膜，其溶剂为正辛烷、甲苯、二甲苯、氯苯中一种单一溶剂或单一溶剂与高沸点醚类(如：间苯二甲醚，二甲基茴香醚)等共混的复合溶剂。

所述磷化铟量子点发光层的厚度：20-35nm。