[发明专利]一种考虑铁芯深度饱和特性的三相三柱变压器改进BCTRAN仿真结构及方法在审

专利信息
申请号: 202111333532.3 申请日: 2021-11-11
公开(公告)号: CN114372433A 公开(公告)日: 2022-04-19
发明(设计)人: 罗骁枭;司马文霞;李永福;杨鸣;王谦;龙洋;袁涛;孙魄韬;雷俊豪;程可昕;许晟铭;王霖 申请(专利权)人: 国网重庆市电力公司电力科学研究院;重庆大学
主分类号: G06F30/367 分类号: G06F30/367
代理公司: 重庆缙云专利代理事务所(特殊普通合伙) 50237 代理人: 王翔
地址: 401123 重庆市渝北*** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明公开一种考虑铁芯深度饱和特性的三相三柱变压器改进BCTRAN仿真结构及方法,方法步骤为:1)建立三相三柱变压器BCTRAN矩阵;2)计算变压器激励侧电流基频分量Ik及激励侧端口电压基频分量Uk;3)计算输入电流Ibctk;4)计算变压器端口励磁支路深度饱和电感Lsatk;5)计算变压器所有端口深度饱和电感,得到端口完整励磁支路。结构包括BCTRAN参数模块、励磁支路、理想变压器和绕组电阻;本发明利通过将表征铁芯空间励磁特性差异的励磁支路添加在BCTRAN模型端口上,建立考虑铁芯深度饱和特性的改进BCTRAN模型,实现对变压器不同端口饱和特性的精准表征。
搜索关键词: 一种 考虑 深度 饱和 特性 三相 变压器 改进 bctran 仿真 结构 方法
【主权项】:
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