[发明专利]一种用于多层键合MEMS器件的跨层过刻坡度测试结构及测试方法在审
| 申请号： | 202111326978.3 | 申请日： | 2021-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN114031032A | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 刘海韵;李臣民;高红民;沈洁 | 申请（专利权）人： | 河海大学 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 钱玲玲 |
| 地址： | 211100 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于多层键合MEMS器件的跨层过刻坡度测试结构及测试方法，其中，测试结构包括键合连接的SOI硅片和上层硅片；SOI硅片包括从下至上依次设置的底层硅衬底、绝缘层和由单晶硅结构层构成的过刻结构；上层硅片包括等距顺次设置的第一L型硅梁单元、第二L型硅梁单元、第三L型硅梁单元和第四L型硅梁单元；四个L型硅梁单元围成方形刻蚀区；其中，测试方法包括采用四线法测量过刻结构的等效电阻率，根据等效电阻率计算得到过刻结构的过刻坡度。本发明的测试结构简单，制备成本低，测试方法步骤简洁，能够快速获得结果，且通用性强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 多层 mems 器件 坡度 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
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