[发明专利]一种硅基多结太阳电池及其渐变缓冲层在审
| 申请号： | 202111325702.3 | 申请日： | 2021-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN114171615A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 徐鹏飞;王岩;罗帅;季海铭 | 申请（专利权）人： | 江苏华兴激光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/0336;H01L31/0687 |
| 代理公司： | 武汉江楚智汇知识产权代理事务所(普通合伙) 42228 | 代理人： | 邓寅杰 |
| 地址： | 221300 江苏省徐州市邳*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅基多结太阳电池及其渐变缓冲层，渐变缓冲层由石墨烯层和不同组分的III‑V族化合物层交替生长而成，硅基多结太阳电池包括Si衬底，在Si衬底的上表面按照层状叠加结构从下至上依次设置有Si子电池、渐变缓冲层、第一隧道结、AlGaAs子电池、第二隧道结和AlGaInP子电池。本发明硅基多结太阳电池利用III‑V族化合物材料与石墨烯相结合的多层复合结构的渐变缓冲层可消除晶硅衬底上GaAs、AlGaAs、AlGaInP等材料层受到的失配应力，降低材料层缺陷密度，提高电池的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基多 太阳电池 及其 渐变 缓冲 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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