[发明专利]电容阵列结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202111324509.8 | 申请日： | 2021-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN115968193A | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 艾子杰 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 薛恒;王琳 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 电容阵列结构包含基材、多个第一基柱容器堆叠式电容器结构、多个第二基柱容器堆叠式电容器结构以及多个第三基柱容器堆叠式电容器结构。第一基柱容器堆叠式电容器结构向上延伸于基材上方，且排列成第一列。第二基柱容器堆叠式电容器结构向上延伸于基材上方，且排列成第二列。第二列相邻于第一列。第三基柱容器堆叠式电容器结构向上延伸于基材上方，且排列成第三列。第三列相邻于第二列。第一列与第二列相距第一距离。第二列与第三列相距第二距离。第一距离小于第二距离。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 阵列 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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