[发明专利]一种存储器件的制造方法

摘要

本申请提供一种存储器件的制造方法，在台阶结构和介质结构之间构成的凹槽内首先形成预设厚度的第一介质层，第一介质层中形成有填充缝隙，之后在凹槽内填充第二介质层，第二介质层位于所述填充缝隙内，以填充缝隙内的第二介质层为掩蔽，刻蚀部分厚度的第一介质层，扩大填充缝隙，最后去除第二介质层，在扩大后的填充缝隙内继续形成第一介质层，当凹槽底部的第一介质层的厚度之和大于或等于凹槽深度时，即当凹槽内没有填充缝隙形成时，结束上述步骤，能够实现在凹槽内填充介质材料时，降低产生填充空洞或缝隙的概率，提高存储器件的性能。