[发明专利]半导体器件和包括其的数据存储系统在审
申请号: | 202111290186.5 | 申请日: | 2021-11-02 |
公开(公告)号: | CN114464625A | 公开(公告)日: | 2022-05-10 |
发明(设计)人: | 具池谋;康范圭;黄盛珉 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/11556 | 分类号: | H01L27/11556;H01L27/11521;H01L27/11582;H01L27/11568 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 李娜;王占杰 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了半导体器件和包括其的数据存储系统,所述半导体器件包括:衬底;下堆叠结构,所述下堆叠结构位于所述衬底上,并包括彼此分开地堆叠的下栅电极;上堆叠结构,所述上堆叠结构位于所述下堆叠结构上,并包括彼此分开地堆叠的上栅电极;下沟道结构,所述下沟道结构穿透所述下堆叠结构,并包括下沟道层和位于所述下沟道层上的下沟道绝缘层,所述下沟道绝缘层围绕下缝隙;以及上沟道结构,所述上沟道结构穿透所述上堆叠结构并包括上沟道层和位于所述上沟道层上的上沟道绝缘层,所述上沟道绝缘层围绕上缝隙。所述下缝隙的宽度大于所述上缝隙的宽度,并且所述下沟道绝缘层的厚度大于所述上沟道绝缘层的厚度。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 包括 数据 存储系统 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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