[发明专利]半导体器件和包括其的数据存储系统在审

专利信息
申请号: 202111290186.5 申请日: 2021-11-02
公开(公告)号: CN114464625A 公开(公告)日: 2022-05-10
发明(设计)人: 具池谋;康范圭;黄盛珉 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/11556 分类号: H01L27/11556;H01L27/11521;H01L27/11582;H01L27/11568
代理公司: 北京市立方律师事务所 11330 代理人: 李娜;王占杰
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了半导体器件和包括其的数据存储系统,所述半导体器件包括:衬底;下堆叠结构,所述下堆叠结构位于所述衬底上,并包括彼此分开地堆叠的下栅电极;上堆叠结构,所述上堆叠结构位于所述下堆叠结构上,并包括彼此分开地堆叠的上栅电极;下沟道结构,所述下沟道结构穿透所述下堆叠结构,并包括下沟道层和位于所述下沟道层上的下沟道绝缘层,所述下沟道绝缘层围绕下缝隙;以及上沟道结构,所述上沟道结构穿透所述上堆叠结构并包括上沟道层和位于所述上沟道层上的上沟道绝缘层,所述上沟道绝缘层围绕上缝隙。所述下缝隙的宽度大于所述上缝隙的宽度,并且所述下沟道绝缘层的厚度大于所述上沟道绝缘层的厚度。
搜索关键词: 半导体器件 包括 数据 存储系统
【主权项】:
暂无信息
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