[发明专利]一种多功能忆阻器及其调控方法在审
| 申请号： | 202111287968.3 | 申请日： | 2021-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN114203900A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 杨蕊;夏剑;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学;湖北江城实验室 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 胡秋萍 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多功能忆阻器及其调控方法，其调控方法包括：在底电极上形成原始薄膜，所述原始薄膜为包括含In和Se的化合物薄膜；通过氧等离子体工艺对所述原始薄膜进行处理，将原始薄膜表层氧化为氧化层，形成阻变层，所述阻变层包括氧化层和剩余的原始薄膜；在所述阻变层上制备顶电极，形成忆阻器；其中，在形成阻变层期间，通过调控氧等离子体工艺的处理参数，调控阻变层内导电细丝的形态，改变忆阻器的易失性或非易失性。本申请可以基于一种材料，通过改变器件制备期间的工艺参数，得到不同性能的忆阻器，基于同一种材料实现忆阻器的多功能调控，有利于简化大规模集成电路的工艺与结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多功能 忆阻器 及其 调控 方法 | ||
【主权项】：
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