[发明专利]高光效发光二极管器件结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202111285852.6 | 申请日： | 2021-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN116072793A | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 邓彪;刘乐功;熊文浚;吕小翠;冯美鑫;孙钱;刘卫;杨勇;杨辉 | 申请（专利权）人： | 广东中科半导体微纳制造技术研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 528000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高光效发光二极管器件结构及其制作方法。所述高光效发光二极管器件结构包括外延层，所述外延层上依次叠设有导电的第一反射层和保护层；所述保护层的底端面和第一反射层的顶端面完全重合，所述外延层上还覆设有绝缘层，所述绝缘层和第一反射层两者在所述外延层的正投影构成互补图形，并且至少是所述第一反射层的侧壁与所述绝缘层的相应侧壁重合。本发明通过采用第一反射层与其保护层为相同形状和面积，且第一反射层与绝缘层为互补图形结构的设计，可以有效消除因Ag迁移等带来的器件可靠性差等问题，克服因低反射率保护层材料吸光带来的缺陷，显著提高发光二极管的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 高光效 发光二极管 器件 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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