[发明专利]一种纳米薄膜制备方法及其设备

摘要

本发明涉及薄膜制备技术领域，尤其是指一种纳米薄膜制备方法及其设备，第一反应源采用化学气相沉积CVD的方式持续通入反应腔室，第二反应源采用原子层沉积ALD的方式，脉冲通入反应腔室与第一反应源反应，从而在基底上沉积形成薄膜，调节第二反应源的脉冲次数比可精确控制多组分薄膜中不同元素的组分比，多组分薄膜的厚度可有超循环数控制。本发明结合原子层沉积和化学气相沉积两种方式，使反应腔室可加热到较高的温度，再通过调整脉冲式的第二反应源的脉冲次数，则可以实现在原子尺度精确控制薄膜的厚度，从而实现可高温制备薄膜并且薄膜结晶度及厚度可控的目的。