[发明专利]一种SiC JBS元胞结构及制备方法有效

专利信息
申请号: 202111277167.9 申请日: 2021-10-29
公开(公告)号: CN113990934B 公开(公告)日: 2023-07-28
发明(设计)人: 侯斌;杨晓文;杨鹏翮;鲁红玲;李照;黄山圃;胡长青 申请(专利权)人: 西安微电子技术研究所
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/872;H01L21/04
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 陈翠兰
地址: 710065 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 一种SiC JBS元胞结构,包括第一元胞和第二元胞;第二元胞的周边排列有若干个第一元胞;第一元胞的填充区域的横截面由内向外依次为第三图形,第二图形,第一图形;区域类型依次对应为SBD区、P+区、SBD区或依次为P+区、SBD区、P+区;第二元胞的填充区域的横截面为第四图形,区域类型为P型掺杂区;第一图形为正六边形,第二图形为正六边形,第三图形为圆形或正六边形,第四图形为正六边形。本发明的通过控制元胞结构的图形的几何尺寸以及各元胞间的相对距离以控制SiC‑JBS痛电流的大小,通过合理分布P+区,达到提高浪涌电流的目的。
搜索关键词: 一种 sic jbs 结构 制备 方法
【主权项】:
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