[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体元件在审
| 申请号： | 202111263331.0 | 申请日： | 2021-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN116031299A | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 林宗翰 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种横向扩散金属氧化物半导体元件，其主要包含一第一鳍状结构设于一基底上，一第二鳍状结构设于该第一鳍状结构旁，一浅沟隔离设于该第一鳍状结构以及该第二鳍状结构之间，一第一栅极结构设于该第一鳍状结构上，一第二栅极结构设于该第二鳍状结构上以及一气孔设于该第一栅极结构以及该第二栅极结构之间。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111263331.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
