[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体元件在审
| 申请号： | 202111263331.0 | 申请日： | 2021-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN116031299A | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 林宗翰 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 元件 | ||
1.一种横向扩散金属氧化物半导体元件，其特征在于，包含：
第一鳍状结构，设于基底上；
第二鳍状结构，设于该第一鳍状结构旁；
浅沟隔离，设于该第一鳍状结构以及该第二鳍状结构之间；
第一栅极结构，设于该第一鳍状结构上；
第二栅极结构，设于该第二鳍状结构上；以及
气孔，设于该第一栅极结构以及该第二栅极结构之间。
2.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体元件，另包含：
源极区域，设于该第一栅极结构一侧的该第一鳍状结构上；
漏极区域，设于该第二栅极结构一侧的该第二鳍状结构上；
层间介电层，环绕该第一栅极结构与该第二栅极结构；以及
第一接触插塞以及第二接触插塞，该第一接触插塞设于该源极区域上，该第二接触插塞设于该漏极区域上。
3.如权利要求2所述的横向扩散金属氧化物半导体元件，其中该气孔设于该层间介电层内。
4.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体元件，其中该第二栅极结构宽度小于该第一栅极结构宽度。
5.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体元件，其中该气孔设于该浅沟隔离正上方。
6.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体元件，其中该第一栅极结构以及该第二栅极结构包含金属栅极。
7.一种横向扩散金属氧化物半导体元件，其特征在于，包含：
第一鳍状结构，设于基底上；
第二鳍状结构，设于该第一鳍状结构旁；
第三鳍状结构，设于该第一鳍状结构与该第二鳍状结构之间；
第一浅沟隔离，设于该第一鳍状结构与该第三鳍状结构之间；
第二浅沟隔离，设于该第二鳍状结构与该第三鳍状结构之间；
第一栅极结构，设于该第一鳍状结构上；
第二栅极结构，设于该第二鳍状结构上；
第三栅极结构，设于该第三鳍状结构上；以及
第一气孔，设于该第一栅极结构以及该第三栅极结构之间。
8.如权利要求7所述的横向扩散金属氧化物半导体元件，另包含：
源极区域，设于该第一栅极结构一侧的该第一鳍状结构上；
漏极区域，设于该第二栅极结构一侧的该第二鳍状结构上；
层间介电层，环绕该第一栅极结构与该第二栅极结构；以及
第一接触插塞以及第二接触插塞，该第一接触插塞设于该源极区域上，该第二接触插塞设于该漏极区域上。
9.如权利要求8所述的横向扩散金属氧化物半导体元件，其中该第一气孔设于该层间介电层内。
10.如权利要求7所述的横向扩散金属氧化物半导体元件，其中该第二栅极结构宽度小于该第一栅极结构宽度。
11.如权利要求7所述的横向扩散金属氧化物半导体元件，其中该第一气孔设于该第一浅沟隔离正上方。
12.如权利要求7所述的横向扩散金属氧化物半导体元件，其中该第一栅极结构以及该第二栅极结构包含金属栅极。
13.如权利要求7所述的横向扩散金属氧化物半导体元件，另包含第二气孔，设于该第二栅极结构以及该第三栅极结构之间。
14.如权利要求13所述的横向扩散金属氧化物半导体元件，其中该第二气孔设于该第二浅沟隔离正上方。
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