[发明专利]一种基于GGNMOS的ESD保护电路及电子芯片

摘要

本发明公开了一种基于GGNMOS的ESD保护电路及电子芯片，保护电路包含至少一个GGNMOS，各GGNMOS内部形成竖向寄生三极管的Nwell区仅直接电性连接至GNDIO，使该GGNMOS内部的竖向寄生三极管与横向寄生三极管并联连接后共同形成IO至GNDIO的放电路径。通过将GGNMOS内部形成竖向寄生三极管的Nwell区直接电性连接至GNDIO，不再与VDDIO连接，避免了竖向寄生三极管向VDDIO形成放电路径，不会影响横向寄生三极管的放电不均匀性，放电电流都要经过GNDIO路径到VDDIO，降低了横向寄生三极管的开启电压Vt1，即以相对简单的方式，很大程度消除了GGNMOS固有的导通不均匀特征，提升了该ESD保护电路的静电保护效果。