[发明专利]一种降低关断损耗的IGBT结构在审
| 申请号： | 202111245565.2 | 申请日： | 2021-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN113990924A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 伍伟;李岩松;陈勇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/739 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种降低关断损耗的IGBT结构，该结构在常规IGBT结构的基础上，在IGBT背面增添栅极结构和N+型电子发射区。当IGBT关断时给背面栅施加高电压，形成电子通路。该电子通路可以起到短路P型集电区的效果，在IGBT关断时提供电子抽取通道，从而显著加快关断过程中N型漂移区的少数载流子抽取速度，改善IGBT关断过程中的电流拖尾现象，降低器件在关断过程中的能量损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 损耗 igbt 结构 | ||
【主权项】：
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