[发明专利]垂直DMOSFET及其制备方法、BCD器件有效
| 申请号： | 202111237767.2 | 申请日： | 2021-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN113690320B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 刘雯娇;杨世红 | 申请（专利权）人： | 陕西亚成微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L27/06 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 郑丽红 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市高新*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种垂直DMOSFET及其制备方法、BCD器件，主要解决现有LDMOSFET漏极区占用面积大、导通电阻较大以及VDMOSFET兼容性较差的问题，该垂直DMOSFET包括，P型衬底；在P型衬底上表面形成的NBL埋藏层；在NBL埋藏层上表面形成的N型外延层；在N型外延层上表面形成的氧化层；N型外延层内依次设有N‑Well区和P‑Body区；N‑Well区的上表面设置有N+接触区，形成漏极，N‑Well区的底端与NBL埋藏层相连通；P‑Body区的上表面设置有N+接触区，形成源极；N型外延层的上表面自下至上依次设置有栅氧化层和多晶硅层，形成栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 dmosfet 及其 制备 方法 bcd 器件 | ||
【主权项】：
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