[发明专利]一种可增强ESD抗干扰能力的单向ESD保护器及制作方法

摘要

本发明公开一种可增强ESD抗干扰能力的单向ESD保护器及制作方法，本发明在P扩散区的光刻工艺中，通过调整光刻窗口至N+扩散区区域内，同时引入高能量的硼注入、硼推结，使得P扩散区处于N+扩散区下方。P扩散区光刻窗口的尺寸略小于N+扩散区的窗口尺寸，由于该结构的击穿区域由常规结构的表面区域转移至体内区域，同时击穿的触发区域得到有效的增大。当进行ESD接触放电试验时，ESD脉冲依次经过第一N+扩散区、P扩散区104、P型单晶材料区、第二N+扩散区，从而可以获得更高的ESD抗干扰能力。通过合理设计P型扩散区的光刻窗口尺寸以及有效深度，与常规结构相比，本发明的ESD抗干扰能力可以比常规结构提高50‑100%。