[发明专利]一种可增强ESD抗干扰能力的单向ESD保护器及制作方法

权利要求书

1.一种可增强ESD抗干扰能力的单向ESD保护器，其特征在于：包括P型单晶材料、第一N+扩散区、第二N+扩散区、P+扩散区和P扩散区，第一N+扩散区、第二N+扩散区、P+扩散区均形成于P型单晶材料上，并且第一N+扩散区与第二N+扩散区间隔一段距离，第二N+扩散区与P+扩散区相邻，P扩散区位于第一N+扩散区的下方，并且P扩散区光刻窗口的宽度小于第一N+扩散区光刻窗口的宽度。

2.根据权利要求1所述的可增强ESD抗干扰能力的单向ESD保护器，其特征在于：先在P型单晶材料上形成P扩散区，然后在P扩散区上形成第一N+扩散区。

3.根据权利要求2所述的可增强ESD抗干扰能力的单向ESD保护器，其特征在于：在P型单晶材料上形成P扩散区的过程为：通过正面光刻形成P扩散区的图形，硼注入剂量为6E14-1E15cm^-2，能量为150-200KeV，硼推进的温度条件为1100-1150℃，时间为60-120min，形成P型扩散区。

4.根据权利要求3所述的可增强ESD抗干扰能力的单向ESD保护器，其特征在于：在P扩散区上形成第一N+扩散区的过程为：正面光刻形成第一N+扩散区图形，第一N+扩散区的磷注入剂量为4E15-6E15cm^-2，能量为60-80KeV。

5.一种可增强ESD抗干扰能力的单向ESD保护器的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

S01）、制备P型单晶材料；

S02）、在P型单晶材料上方生长一层牺牲氧化层，然后在P型单晶材料正面光刻形成P扩散区图形，正面硼注入，硼推进；

S03）、在P扩散区内正面光刻形成第一N+扩散区图形，正面磷注入；

S04）、在P型单晶材料正面光刻形成第二N+扩散区图形、P+扩散区图形，正面硼注入，硼推进，形成第二N+扩散区、P+扩散区；

S05）、P型单晶材料正面淀积隔离介质层，正面光刻形成接触孔区；

S06）、在隔离介质层上方溅射或蒸发金属或合金，形成电极端口。

6.根据权利要求5所述的可增强ESD抗干扰能力的单向ESD保护器的制作方法，其特征在于：步骤S01）中的P型单晶材料的晶向为100，电阻率为5-50Ω.cm。

7.根据权利要求5所述的可增强ESD抗干扰能力的单向ESD保护器的制作方法，其特征在于：步骤S02）中，P扩散区的硼注入剂量为5E14-1E15cm^-2，能量为120-200KeV，硼推进的温度条件为1100-1200℃，时间为60-180min，形成P扩散区。

8.根据权利要求5所述的可增强ESD抗干扰能力的单向ESD保护器的制作方法，其特征在于：步骤S03中的磷注入剂量为3E15-6E15cm^-2，能量为50-100KeV，步骤S04中的硼注入剂量为1E15-4E15cm^-2，能量为30-80KeV，硼推进的温度条件为1000-1100℃，时间为30-90min，形成P+扩散区、第二N+扩散区。

9.根据权利要求5所述的可增强ESD抗干扰能力的单向ESD保护器的制作方法，其特征在于：步骤S05）中的隔离介质层为四乙氧基硅烷TEOS，厚度为5000-10000Å，光刻接触孔后，淀积一层TI/TIN。

10.根据权利要求5所述的可增强ESD抗干扰能力的单向ESD保护器的制作方法，其特征在于：步骤S06）中的正面溅射或蒸发的金属为铝或铝铜或铝硅铜，厚度为2-4um，合金的溅射或蒸发温度为360-430℃，时间为25-45min。