[发明专利]载置台、检查装置和检查方法在审
| 申请号： | 202111212812.9 | 申请日： | 2021-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN114496838A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 河西繁;太田智浩 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;徐飞跃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种载置台、检查装置和检查方法。本发明的载置台，其上表面载置处理对象的器件，包括：具有所述器件的载置面的顶板；对所述顶板进行加热的加热单元；多个温度传感器，其在俯视时的所希望的测量位置获取所述顶板的温度；和定位单元，其与所述温度传感器电连接，将所述温度传感器定位在俯视时的所述测量位置，所述定位单元由具有挠性的柔性电路板构成。根据本发明，能够在不降低检查装置中的载置台的构造上的强度的同时，减小检查对象的器件的实际温度与由温度传感器测量的上述器件的测量温度之间产生的差。 | ||
| 搜索关键词： | 载置台 检查 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
