[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202111212561.4 | 申请日： | 2021-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN114823844A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 郑秀真;姜明吉;梁正吉;朴俊范 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴晓兵 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：第一源极/漏极；第二源极/漏极，在水平方向上与所述第一源极/漏极隔离以不直接接触；沟道，在所述第一源极/漏极与所述第二源极/漏极之间延伸；栅极，围绕所述沟道；上内间隔物，在所述栅极与所述第一源极/漏极之间并且在所述沟道上方；以及下内间隔物，在所述栅极与所述第一源极/漏极之间并且在所述沟道下方，其中，所述沟道包括：基部，在所述第一源极/漏极与所述第二源极/漏极之间延伸；上突出部，从所述基部的顶表面向上突出；以及下突出部，从所述基部的底表面向下突出，并且所述上突出部的顶端与所述下突出部的底端隔离以不直接接触所沿的方向相对于竖直方向倾斜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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