[发明专利]DRAM总线故障检测方法、装置、存储介质及程序产品在审
| 申请号： | 202111192279.4 | 申请日： | 2021-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN115966239A | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 丁旭;沈锡放 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/18 | 分类号： | G11C29/18;G11C29/12;G06F11/26;G06F11/22 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 杨平平 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了一种DRAM总线故障检测方法、装置、存储介质及程序产品，属于存储器技术领域。在本申请实施例中，基于DRAM颗粒所连接的数据总线对MR地址进行写操作和读操作，基于所写的数据和所读取的数据，即能够检测数据总线存在的故障。基于DRAM颗粒所连接的地址总线对MR地址进行写操作和读操作，基于所写的数据和所读取的数据，即能够检测地址总线存在的故障。本方案无需增加额外的硬件管脚、复杂的逻辑电路及校验软件，即能够实现对DRAM总线的故障检测。 | ||
| 搜索关键词： | dram 总线 故障 检测 方法 装置 存储 介质 程序 产品 | ||
【主权项】：
暂无信息
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