[发明专利]DRAM总线故障检测方法、装置、存储介质及程序产品在审
申请号: | 202111192279.4 | 申请日: | 2021-10-13 |
公开(公告)号: | CN115966239A | 公开(公告)日: | 2023-04-14 |
发明(设计)人: | 丁旭;沈锡放 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | G11C29/18 | 分类号: | G11C29/18;G11C29/12;G06F11/26;G06F11/22 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 杨平平 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | dram 总线 故障 检测 方法 装置 存储 介质 程序 产品 | ||
1.一种动态随机存储器DRAM总线故障检测方法,其特征在于,所述方法包括:
基于第一DRAM颗粒所连接的数据总线,对第一模式寄存器MR地址依次进行写操作和读操作,基于向所述第一MR地址所写的数据和从所述第一MR地址所读取的数据,检测所述数据总线存在的故障,所述第一MR地址为所述第一DRAM颗粒中的一个MR地址,所述第一DRAM颗粒为存储系统所包括的一个DRAM颗粒;
基于所述第一DRAM颗粒所连接的地址总线,依次对第二MR地址进行写操作,对第三MR地址进行写操作,对所述第二MR地址进行读操作,基于向所述第二MR地址所写的数据和从所述第二MR地址所读取的数据,检测所述地址总线存在的故障,所述第二MR地址和所述第三MR地址为所述第一DRAM颗粒中不同的MR地址。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,向所述第一MR地址所写的数据为第一数据,从所述第一MR地址所读取的数据为第二数据;
所述基于向所述第一MR地址所写的数据和从所述第一MR地址所读取的数据,检测所述数据总线存在的故障,包括:
通过对比所述第一数据与所述第二数据中对应比特位的数值一致性,以检测所述数据总线存在的故障。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述第一数据中各个比特位的数值均为0;
所述通过对比所述第一数据与所述第二数据中对应比特位的数值一致性,以检测所述数据总线存在的故障,包括:
如果所述第二数据中存在一个或多个第一比特位的数值为1,则确定所述数据总线中的一个或多个第一数据线存在固定为1的故障,所述一个或多个第一比特位与所述一个或多个第一数据线一一对应。
4.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述第一数据中各个比特位的数值均为1;
所述通过对比所述第一数据与所述第二数据中对应比特位的数值一致性,以检测所述数据总线存在的故障,包括:
如果所述第二数据中存在一个或多个第二比特位的数值为0,则确定所述数据总线中的一个或多个第二数据线存在固定为0的故障,所述一个或多个第二比特位与所述一个或多个第二数据线一一对应。
5.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述第一数据中参考比特位的数值为0,所述第一数据中除所述参考比特位之外的各个比特位的数值均为1;
所述通过对比所述第一数据与所述第二数据中对应比特位的数值一致性,以检测所述数据总线存在的故障,包括:
如果所述第二数据中除所述参考比特位之外的一个或多个第三比特位的数值为0,则确定所述数据总线中的一个或多个第三数据线存在固定为0的故障或短路故障,所述一个或多个第三比特位与所述一个或多个第三数据线一一对应。
6.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述第一数据中参考比特位的数值为1,所述第一数据中除所述参考比特位之外的各个比特位的数值均为0;
所述通过对比所述第一数据与所述第二数据中对应比特位的数值一致性,以检测所述数据总线存在的故障,包括:
如果所述第二数据中除所述参考比特位之外的一个或多个第四比特位的数值为1,则确定所述数据总线中的一个或多个第四数据线存在固定为1的故障或短路故障,所述一个或多个第四比特位与所述一个或多个第四数据线一一对应。
7.如权利要求1-6任一所述的方法,其特征在于,所述第一DRAM颗粒所连接的命令线和地址线不存在复用,向所述第二MR地址所写的数据为第三数据,向所述第三MR地址所写的数据与所述第三数据不同,从所述第二MR地址所读取的数据为第四数据;
所述基于向所述第二MR地址所写的数据和从所述第二MR地址所读取的数据,检测所述地址总线存在的故障,包括:
通过对比所述第三数据与所述第四数据的数据一致性,以检测所述地址总线存在的故障。
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