[发明专利]曲面电子装置及其制造方法有效
| 申请号： | 202111171989.9 | 申请日： | 2021-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN114023781B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 高秉详;赖玟佑;陈伯纶;陈俊达;林柏青;许雅筑 | 申请（专利权）人： | 业成科技（成都）有限公司;业成光电（深圳）有限公司;业成光电（无锡）有限公司;英特盛科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H10K59/40;H10K59/10;G06F3/041 |
| 代理公司： | 成都希盛知识产权代理有限公司 51226 | 代理人： | 杨冬梅;张锡军 |
| 地址： | 611730 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明系一种曲面电子装置及其制造方法，包括基材、元件层及调控层，元件层系设在基材上，元件层系由布设在基材的复数个电子元件及其连接线路所构成，而调控层系设在元件层上，并在元件层上形成至少一个图案区及至少一个空白区，其中空白区提供其中一部份的电子元件露出调控层，且调控层与基材分别具有不同的吸热率，使得基材在对应空白区与图案区位置在制造过程中产生不同的软化程度，以避免基材在拉伸过程造成元件层的损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 曲面 电子 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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