[发明专利]存储器件及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202111160792.5 申请日: 2021-09-30
公开(公告)号: CN113903374A 公开(公告)日: 2022-01-07
发明(设计)人: 郑钟倍 申请(专利权)人: 武汉新芯集成电路制造有限公司
主分类号: G11C7/18 分类号: G11C7/18;G11C8/14;H01L25/00;H01L25/18
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 孟霞
地址: 430205 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 本申请公开了一种存储器件及其制备方法,该存储器件包括第一芯片和第二芯片,第二芯片沿第三方向叠置于第一芯片的上方,第一芯片包括存储阵列,存储阵列包括至少一个存储块,第二芯片包括与存储块电性连接的第一局部位线译码器、第二局部位线译码器、第一字线译码器以及第二字线译码器,通过构造第一局部位线译码器区块、第二局部位线译码器区块、第一字线译码器区块以及第二字线译码器区块位于存储块在第二芯片的俯视投影区域内,可以减小第一芯片与第二芯片堆叠后的占用面积,进而减小了存储器件的平面占用空间,有助于实现存储器件的最小化尺寸。
搜索关键词: 存储 器件 及其 制备 方法
【主权项】:
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