[发明专利]用于提高外延片波长均匀性的石墨基板在审
申请号: | 202111160674.4 | 申请日: | 2021-09-30 |
公开(公告)号: | CN114134563A | 公开(公告)日: | 2022-03-04 |
发明(设计)人: | 葛永晖;陈张笑雄;郭炳磊;肖云飞;陆香花;李鹏 | 申请(专利权)人: | 华灿光电(浙江)有限公司 |
主分类号: | C30B25/12 | 分类号: | C30B25/12;C30B25/14;C30B25/16 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 吕耀萍 |
地址: | 322000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本公开提供了一种提高外延片波长均匀性的石墨基板,属于半导体技术领域。石墨基板包括第一基板、第二基板和排气装置,第一基板和第二基板均为圆盘;第一基板的上表面具有用于容纳衬底的多圈第一凹槽,第一基板的中部具有一圆形凹坑,圆形凹坑的底部具有多个气孔;第二基板同轴布置在圆形凹坑内,且第二基板的上表面具有用于容纳衬底的多圈第二凹槽;排气装置被配置为,在不同工作状态下,为多个气孔提供设定流量的气体,使得第二基板悬浮在圆形凹坑内,与第一基板分离,并使得第二基板以设定转速与第一基板同向或反向转动。在本公开提供的石墨基板上生长外延片,可以改善在石墨基板各凹槽内生长的外延片的波长均匀性。 | ||
搜索关键词: | 用于 提高 外延 波长 均匀 石墨 | ||
【主权项】:
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