[发明专利]一种上下结构的屏蔽栅MOSFET器件的制作方法在审
| 申请号： | 202111158564.4 | 申请日： | 2021-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN114038751A | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 陈雪萌;王艳颖;钱晓霞;汤艺 | 申请（专利权）人： | 上海道之科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人： | 陈琦;陈继亮 |
| 地址： | 201800*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种上下结构的屏蔽栅MOSFET的制作方法，该制作方法包括如下步骤：选定的外延硅衬底上进行沟槽刻蚀；通过热氧化或热氧化加沉积氧化层方式制备场氧化层；屏蔽栅多晶硅填充后做第一次回刻至硅表面；沉积氮化硅硬掩模层，接下来做有源区光刻及刻蚀，在氮化硅层上留下有源区窗口。之后在有源区窗口内做场氧化层湿法刻蚀，并进行第二次屏蔽栅多晶硅回刻，屏蔽栅多晶硅第二次回刻后其表面低于沟槽内场氧化层表面0.1微米；再用湿法刻蚀去掉硅表面的氧化层及沟槽中部分场氧化层，使沟槽中屏蔽栅与场氧层的高度差在0.2微米以内；然后对沟槽侧壁及屏蔽栅同时进行氧化，形成栅氧化层和栅间氧化层；栅多晶硅填充和回刻形成控制栅。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 上下 结构 屏蔽 mosfet 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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