[发明专利]陶瓷封装芯片去层制样方法在审
| 申请号： | 202111157474.3 | 申请日： | 2021-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN113921424A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 梁朝辉;林晓玲;杨颖;王宏芹;高汭 | 申请（专利权）人： | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 付兴奇 |
| 地址： | 511300 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种陶瓷封装芯片去层制样方法，该方法包括：通过研磨或机械方式将目标芯片的金属盖打开，所述目标芯片通过陶瓷封装；利用包封环氧胶对所述目标芯片进行包封，得到包封环氧胶的样品；将所述包封环氧胶的样品放入烘箱中烘烤硬化，得到烘烤硬化后的样品；切割所述烘烤硬化后的样品的陶瓷壳体，得到切割后的样品，所述切割后的样品包括芯片部位和位于所述芯片部位四周的包封环氧胶；对所述研磨后的样品进行抛光，得到去层后的芯片等步骤。本申请能够对陶瓷封装芯片进行去层处理，以露出陶瓷封装芯片内的电路结构，并避免破坏所述陶瓷封装芯片内的电路结构。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷封装 芯片 去层制样 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
