[发明专利]冷却单元、使用该冷却单元的基板处理装置及方法在审
| 申请号： | 202111152937.7 | 申请日： | 2021-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN114334715A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 金俊镐;李相勋;徐钟锡 | 申请（专利权）人： | 细美事有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人： | 钟锦舜;石宝忠 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明构思提供一种冷却单元。在一个实施方式中，冷却单元包括：冷却板，其具有安置表面；销构件，其设置在冷却板处并支撑基板；减压孔，其形成在安置表面上；减压路径，其形成在冷却板内并与减压孔连接；减压构件，其用于对减压路径进行减压；和控制器，其用于控制减压构件，其中控制器控制减压构件以对基板与冷却板的安置表面之间的空间进行减压，从而调节基板与冷却板的安置表面之间的距离。 | ||
| 搜索关键词： | 冷却 单元 使用 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
