[发明专利]基于阵列条的增强型开关晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 202111150830.9 | 申请日： | 2021-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN113903802A | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 毛维;裴晨;杨翠;杜鸣;马佩军;张鹏;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L29/40;H01L21/335 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于阵列条的增强型开关晶体管及其制作方法，主要解决现有氮化镓基增强型开关晶体管存在电流崩塌问题，其自下而上包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)，势垒层(3)上从左到右依次设有源极(6)、P‑GaN栅(4)、调制电极(5)、漏极(7)，P‑GaN栅(4)上部淀积有栅金属(8)；调制电极(5)由下部的阵列条(51)与上部的条金属(52)构成，该阵列条(51)由m个等间距且平行排列的隔离条组成，每个隔离条的厚度均小于或等于P‑GaN栅(4)的厚度；该条金属(52)与漏极(7)电气连接。本发明能有效抑制电流崩塌，且制作工艺简单，可作为功率开关器件。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 阵列 增强 开关 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111150830.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
