[发明专利]背照式图像传感器的制造方法在审

专利信息
申请号: 202111139865.2 申请日: 2021-09-28
公开(公告)号: CN113948540A 公开(公告)日: 2022-01-18
发明(设计)人: 张婷;彭翔;姬峰 申请(专利权)人: 上海华力集成电路制造有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 戴广志
地址: 201203*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种背照式图像传感器的制造方法,包括:分别提供形成有第一键合层的第一衬底和形成有第二键合层的第二衬底;将所述第一衬底和所述第二衬底键合;对所述第二衬底的表面执行CMP工艺以得到逻辑区衬底;采用减薄工艺去除第一厚度的所述第一衬底以及采用至少两道刻蚀工艺去除第二厚度的所述第一衬底以得到像素区衬底。本申请通过在像素区衬底中进行深沟槽(DTI)隔离制程之前以及在对所述第一衬底执行减薄工艺之前,对所述第二衬底的表面执行CMP工艺以形成最终的逻辑区衬底,可以有效消除逻辑区衬底表面的所有缺陷,避免了机台背压过低而报警的情况,保证了像素区衬底中的深沟槽隔离制程的顺利进行。
搜索关键词: 背照式 图像传感器 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司,未经上海华力集成电路制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202111139865.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top