[发明专利]背照式图像传感器的制造方法在审
| 申请号： | 202111139865.2 | 申请日： | 2021-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN113948540A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 张婷;彭翔;姬峰 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 背照式 图像传感器 制造 方法 | ||
1.一种背照式图像传感器的制造方法，其特征在于，包括：
分别提供第一衬底和第二衬底，所述第一衬底的表面上形成有第一键合层，所述第二衬底的表面上形成有第二键合层；
通过所述第一键合层和所述第二键合层将所述第一衬底和所述第二衬底键合；
对远离所述第一衬底的所述第二衬底的表面执行CMP工艺以得到逻辑区衬底；
采用减薄工艺去除第一厚度的所述第一衬底；以及，
采用至少两道刻蚀工艺去除第二厚度的所述第一衬底以得到像素区衬底。
2.根据权利要求1所述的背照式图像传感器的制造方法，其特征在于，对远离所述第一衬底的所述第二衬底的表面执行CMP工艺的过程中，去除所述第二衬底的厚度为5μm～9μm。
3.根据权利要求1所述的背照式图像传感器的制造方法，其特征在于，采用减薄工艺去除第一厚度的所述第一衬底之后、采用至少两道刻蚀工艺去除第二厚度的所述第一衬底之前，所述第一衬底的剩余厚度为25μm～28μm。
4.根据权利要求1所述的背照式图像传感器的制造方法，其特征在于，采用至少两道刻蚀工艺去除第二厚度的所述第一衬底以得到像素区衬底时，所述像素区衬底的厚度为2.5μm～3.5μm。
5.根据权利要求1所述的背照式图像传感器的制造方法，其特征在于，采用两道湿法刻蚀工艺去除第二厚度的所述第一衬底。
6.根据权利要求1所述的背照式图像传感器的制造方法，其特征在于，所述第一键合层和所述第二键合层的材质均为二氧化硅。
7.根据权利要求1所述的背照式图像传感器的制造方法，其特征在于，采用范德华力键合工艺键合所述第一键合层和所述第二键合层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
