[发明专利]一种高介电性能三元复合材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202111136204.4 | 申请日： | 2021-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN113912966B | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 翁凌;苏宇;关丽珠;王小明 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨理工大学 |
| 主分类号： | C08L27/16 | 分类号： | C08L27/16;C08K9/06;C08K7/10;C08K7/08;C08J5/18;B32B27/30;B32B27/20;B32B27/06;B32B37/10 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 刘景祥 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高介电性能三元复合材料及其制备方法，属于嵌入式电容器和半导体存储器件等的应用领域。本发明复合材料由聚偏氟乙烯和填料组成，填料为硅烷偶联剂KH550改性碳化硅纳米线和硅烷偶联剂KH570改性四针状氧化锌晶须；是按下述步骤进行的：将KH550‑SiCNWs和KH570‑T‑ZnOw溶于N,N二甲基甲酰胺中，室温超声震荡至少2h，加入PVDF粉末，在室温下超声溶解反应至少4h，得到掺杂改性填料溶胶；然后进行抽滤和抽气泡，然后铺膜，然后烘干，得到复合薄膜；积叠放后热压，得高介电性能三元复合材料。相较于SiCNWs/PVDF二元复合材料，本发明的三元复合材料具有更加优异的介电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高介电 性能 三元 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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