[发明专利]半导体激光器阵列、半导体激光器单管及其制备方法有效
| 申请号： | 202111125852.X | 申请日： | 2021-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN113937616B | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 周寅利;张建伟;张星;宁永强 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01S5/065 | 分类号： | H01S5/065;H01S5/20;H01S5/22;H01S5/323 |
| 代理公司： | 长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218 | 代理人： | 高一明;郭婷 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体激光器阵列、半导体激光器单管及其制备方法，其中的半导体激光器单管包括外延结构，在外延结构上刻蚀有脊波导，在脊波导上靠近激光器后腔面的位置刻蚀有光栅，光栅包括与激光器后腔面平行的模式选择区和与激光器后腔面形成预设角度的模式过滤区，模式选择区用于将被选定的横模反射回激光器谐振腔内进行振荡放大；模式过滤区用于将未被选定的横模反射出激光器谐振腔。本发明提供的半导体激光器单管通过对光栅尺寸及形貌的设计选择出特定的横模，本发明提供的半导体激光器阵列由多个半导体激光器单管构成，可以同时发射多个特定的横模，多个特定的横模可以相同或不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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