[发明专利]RC IGBT、生产RC IGBT的方法和控制半桥电路的方法在审
| 申请号： | 202111121396.1 | 申请日： | 2021-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN114256341A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | R·巴布尔斯克 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H02M1/00;H02M1/08;H02M1/088 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张凌苗;周学斌 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | RC IGBT、生产RC IGBT的方法和控制半桥电路的方法。一种RC IGBT（1）包括具有IGBT区段（1‑21）和二极管区段（1‑22）的有源区（1‑2）。在RC IGBT（1）的多个控制沟槽（14、15）中，存在多个IGBT控制电极（141）和与IGBT控制电极（141）电绝缘的多个等离子体控制电极（151），IGBT控制电极（141）和等离子体控制电极（151）中的每个与RC IGBT（1）的两个负载端子（11、12）电隔离。IGBT区段（1‑21）包括IGBT控制电极（141）的第一子集和等离子体控制电极（151）的第一子集。二极管区段（1‑22）包括等离子体控制电极（151）的第二子集。 | ||
| 搜索关键词： | rc igbt 生产 方法 控制 电路 | ||
【主权项】：
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