[发明专利]晶界层晶粒晶界性能的微米级电极制备方法及测试方法在审
| 申请号： | 202111113271.4 | 申请日： | 2021-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN113834859A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 冯毅龙;卢振亚;吕明;戴婷 | 申请（专利权）人： | 广州天极电子科技股份有限公司;华南理工大学 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00;G01N27/04;G01R27/02 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 董领逊 |
| 地址： | 511400 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶界层晶粒晶界性能的微米级电极制备方法及测试方法。其中，制备方法包括：在晶界层上表面均匀涂覆一层光刻胶并进行固化；使用图形化掩膜版对表面涂覆固化有光刻胶的微米级金电极进行曝光，显影后使用溶液在曝光后的微米级金电极上形成光刻胶保护图层；使用蚀刻液蚀刻无光刻胶保护图层的微米级金电极后，进行清洗得到微米级电极。本发明在制备的晶界层基片晶粒上直接镀上微米级金电极材料，在金相显微镜下即可获取适用于测试晶界层基片的电性能的微米级电极块，通过定位，可具体到某一微观晶粒晶界性能的测试，并且实现该晶粒晶界性能的重复测试，从而在晶界层性能上实现机理上的研究。 | ||
| 搜索关键词： | 晶界层 晶粒 性能 微米 电极 制备 方法 测试 | ||
【主权项】：
暂无信息
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